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Ieee Electron Device Letters

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影響因子:4.1

年發(fā)文量:477

IEEE 電子器件字母 SCIE

Ieee Electron Device Letters

《IEEE 電子器件字母》(Ieee Electron Device Letters)是一本以工程技術-工程:電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于1980年,刊期Monthly。該刊已被國際重要權威數據庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術-工程:電子與電氣領域的重點研究和前沿進展,及時刊載和報道該領域的研究成果,致力于成為該領域同行進行快速學術交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為4.1。CiteScore指數值為8.2。

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期刊簡介預計審稿時間: 約1.3個月

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

IEEE Electron Device Letters 發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創(chuàng)性和重要貢獻,涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料,應用于生物電子學、生物醫(yī)學電子學、計算、通信、顯示器、微機電學、成像、微執(zhí)行器、納米電子學、光電子學、光伏、功率集成電路和微傳感器。

《Ieee Electron Device Letters》(IEEE 電子器件字母)編輯部通訊方式為IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務,您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對一投稿指導,避免您在投稿時頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時間,有效提升發(fā)表機率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內容。

中科院分區(qū)

2023年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

2022年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

2021年12月舊的升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

2021年12月基礎版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

2021年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)

2020年12月舊的升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)
名詞解釋:

基礎版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。

升級版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表升級版(試行)》,升級版采用了改進后的指標方法體系對基礎版的延續(xù)和改進,影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級版結果,不再有基礎版和升級版之分,基礎版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。

JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

JCR分區(qū)等級:Q2

按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352

73.4%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354

78.39%

Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
4.62% 100.00% 0.10...
開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
0.05... 0.35 --

名詞解釋:JCR分區(qū)在學術期刊評價、科研成果展示、科研方向引導以及學術交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學科領域內的相對位置,從而幫助科研人員準確識別出高質量的學術期刊。

CiteScore 指數(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數
8.2 1.25 1.5
學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797

84%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284

82%

名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數據庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數據庫Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認為是影響因子最有力的競爭對手。

數據趨勢圖

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

歷年IF值(影響因子)

歷年引文指標和發(fā)文量

歷年自引數據

發(fā)文數據

2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

國家/地區(qū) 數量
CHINA MAINLAND 577
USA 282
South Korea 174
Taiwan 123
Japan 65
England 60
India 49
Belgium 37
GERMANY (FED REP GER) 37
France 32

2019-2021年機構發(fā)文量統(tǒng)計

機構 數量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 84
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 70
XIDIAN UNIVERSITY 56
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 49
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNO... 48
PEKING UNIVERSITY 42
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN... 42
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 36
IMEC 35
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY 35

2019-2021年文章引用數據

文章引用名稱 引用次數
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transist... 38
An Artificial Neuron Based on a Threshol... 36
Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O... 28
Spin Logic Devices via Electric Field Co... 27
Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOS... 27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Tran... 26
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes W... 24
1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Fie... 24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diod... 23
First Demonstration of a Logic-Process C... 22

2019-2021年文章被引用數據

被引用期刊名稱 數量
IEEE T ELECTRON DEV 1587
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
JPN J APPL PHYS 594
APPL PHYS LETT 460
IEEE J ELECTRON DEVI 445
APPL PHYS EXPRESS 366
SEMICOND SCI TECH 277
J APPL PHYS 268
SOLID STATE ELECTRON 257
ECS J SOLID STATE SC 249

2019-2021年引用數據

引用期刊名稱 數量
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
IEEE T ELECTRON DEV 865
APPL PHYS LETT 812
J APPL PHYS 318
ADV MATER 217
NANO LETT 150
ACS APPL MATER INTER 142
SCI REP-UK 138
NATURE 132
APPL PHYS EXPRESS 119

相關期刊

免責聲明

若用戶需要出版服務,請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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