《半導體科技》(Semiconductor Science And Technology)是一本以工程技術-材料科學:綜合綜合研究為特色的國際期刊。該刊由IOP Publishing Ltd.出版商創刊于1986年,刊期Monthly。該刊已被國際重要權威數據庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術-材料科學:綜合領域的重點研究和前沿進展,及時刊載和報道該領域的研究成果,致力于成為該領域同行進行快速學術交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為1.9。CiteScore指數值為4.3。
Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.
The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:
fundamental properties
materials and nanostructures
devices and applications
fabrication and processing
new analytical techniques
simulation
emerging fields:
materials and devices for quantum technologies
hybrid structures and devices
2D and topological materials
metamaterials
semiconductors for energy
flexible electronics.
《半導體科學與技術》致力于半導體研究,其多學科方法反映了該主題的深遠性質。
該期刊的范圍涵蓋非有機、有機和氧化物半導體及其界面和器件的性質的基礎和應用實驗和理論研究,包括:
基本性質
材料和納米結構
器件和應用
制造和加工
新分析技術
模擬
新興領域:
量子技術材料和器件
混合結構和器件
2D和拓撲材料
超材料
能源半導體
柔性電子。
《Semiconductor Science And Technology》(半導體科技)編輯部通訊方式為IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。如果您需要協助投稿或潤稿服務,您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務十年,熟悉發表政策,可為您提供一對一投稿指導,避免您在投稿時頻繁碰壁,節省您的寶貴時間,有效提升發表機率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內容。
2023年12月升級版
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
2022年12月升級版
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級版
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
2021年12月基礎版
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
2021年12月升級版
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級版
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 3區 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 | 3區 4區 4區 | 否 | 否 |
基礎版:即2019年12月17日,正式發布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。
升級版:即2020年1月13日,正式發布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表升級版(試行)》,升級版采用了改進后的指標方法體系對基礎版的延續和改進,影響因子不再是分區的唯一或者決定性因素,也沒有了分區的IF閾值期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區表將只發布升級版結果,不再有基礎版和升級版之分,基礎版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。
JCR分區等級:Q3
按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 301 / 438 |
31.4% |
學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 50 / 79 |
37.3% |
按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 293 / 438 |
33.22% |
學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 51 / 79 |
36.08% |
Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
10.23% | 95.85% | 0.05... |
開源占比 | 出版國人文章占比 | OA被引用占比 |
0.07... | 0.19 | 0.04... |
名詞解釋:JCR分區在學術期刊評價、科研成果展示、科研方向引導以及學術交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分,JCR分區能夠清晰地反映出不同期刊在同一學科領域內的相對位置,從而幫助科研人員準確識別出高質量的學術期刊。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數 | ||||||||||||||||||||
4.3 | 0.411 | 0.741 |
|
名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數據庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數除以該期刊近四年發表的文獻數。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數據庫Scopus,適用于所有連續出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認為是影響因子最有力的競爭對手。
歷年中科院分區趨勢圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標和發文量
歷年自引數據
2019-2021年國家/地區發文量統計
國家/地區 | 數量 |
CHINA MAINLAND | 257 |
USA | 139 |
India | 121 |
GERMANY (FED REP GER) | 95 |
South Korea | 90 |
England | 64 |
Japan | 64 |
France | 55 |
Russia | 52 |
Taiwan | 31 |
2019-2021年機構發文量統計
機構 | 數量 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 63 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... | 47 |
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 42 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... | 41 |
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 34 |
IMEC | 20 |
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 20 |
FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ-INSTITU... | 18 |
PEKING UNIVERSITY | 18 |
XIDIAN UNIVERSITY | 17 |
2019-2021年文章引用數據
文章引用名稱 | 引用次數 |
beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics ... | 59 |
Phase-change materials for non-volatile ... | 53 |
Metal oxide nanostructures for sensor ap... | 29 |
How to control defect formation in monol... | 28 |
Terahertz radiation detectors: the state... | 21 |
Structural, electronic and phononic prop... | 19 |
Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem pe... | 18 |
Biaxial strain tuned electronic structur... | 17 |
A comprehensive device modelling of pero... | 15 |
The transport and optical sensing proper... | 15 |
2019-2021年文章被引用數據
被引用期刊名稱 | 數量 |
J APPL PHYS | 337 |
SEMICOND SCI TECH | 276 |
PHYS REV B | 205 |
MATER RES EXPRESS | 191 |
APPL PHYS LETT | 185 |
JPN J APPL PHYS | 169 |
IEEE T ELECTRON DEV | 145 |
SCI REP-UK | 134 |
APPL SURF SCI | 118 |
J MATER SCI-MATER EL | 118 |
2019-2021年引用數據
引用期刊名稱 | 數量 |
APPL PHYS LETT | 1311 |
J APPL PHYS | 761 |
PHYS REV B | 700 |
IEEE T ELECTRON DEV | 412 |
PHYS REV LETT | 332 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 277 |
SEMICOND SCI TECH | 276 |
NANO LETT | 236 |
THIN SOLID FILMS | 162 |
J CRYST GROWTH | 150 |
中科院分區:1區
影響因子:7.7
審稿周期:約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個月 約7.8周
中科院分區:1區
影響因子:8.1
審稿周期:約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個月 約6.8周
中科院分區:3區
影響因子:3.3
審稿周期:約17.72天 11 Weeks
中科院分區:1區
影響因子:98.4
審稿周期: 約3月
中科院分區:2區
影響因子:5.8
審稿周期: 約2.4個月 約7.6周
中科院分區:2區
影響因子:5.1
審稿周期: 約1.9個月 約2.7周
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。