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Ieee Transactions On Electron Devices

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影響因子:2.9

年發文量:1084

IEEE Transactions On Electron Devices SCIE

Ieee Transactions On Electron Devices

《IEEE Transactions On Electron Devices》(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本以工程技術-工程:電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創刊于1954年,刊期Monthly。該刊已被國際重要權威數據庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術-工程:電子與電氣領域的重點研究和前沿進展,及時刊載和報道該領域的研究成果,致力于成為該領域同行進行快速學術交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為2.9。CiteScore指數值為5.8。

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期刊簡介預計審稿時間: 約4.7個月

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

《IEEE 電子器件學報》發表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創和重要貢獻,涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料,應用于生物電子學、生物醫學電子學、計算、通信、顯示器、微機電、成像、微致動器、納米電子學、光電子學、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發表了關于這些主題的教程和評論論文,偶爾還會出版專刊,介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領域的論文。

《Ieee Transactions On Electron Devices》(IEEE Transactions On Electron Devices)編輯部通訊方式為IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協助投稿或潤稿服務,您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務十年,熟悉發表政策,可為您提供一對一投稿指導,避免您在投稿時頻繁碰壁,節省您的寶貴時間,有效提升發表機率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內容。

中科院分區

2023年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區

2022年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區

2021年12月舊的升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區

2021年12月基礎版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區

2021年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區

2020年12月舊的升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 2區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 2區 2區
名詞解釋:

基礎版:即2019年12月17日,正式發布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。

升級版:即2020年1月13日,正式發布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表升級版(試行)》,升級版采用了改進后的指標方法體系對基礎版的延續和改進,影響因子不再是分區的唯一或者決定性因素,也沒有了分區的IF閾值期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區表將只發布升級版結果,不再有基礎版和升級版之分,基礎版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。

JCR分區(2023-2024年最新版)

JCR分區等級:Q2

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2%

Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
6.38% 100.00% 0.16...
開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
0.06... 0.22 0.00...

名詞解釋:JCR分區在學術期刊評價、科研成果展示、科研方向引導以及學術交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分,JCR分區能夠清晰地反映出不同期刊在同一學科領域內的相對位置,從而幫助科研人員準確識別出高質量的學術期刊。

CiteScore 指數(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數
5.8 0.785 1.223
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797

72%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284

71%

名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數據庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數除以該期刊近四年發表的文獻數。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數據庫Scopus,適用于所有連續出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認為是影響因子最有力的競爭對手。

數據趨勢圖

歷年中科院分區趨勢圖

歷年IF值(影響因子)

歷年引文指標和發文量

歷年自引數據

發文數據

2019-2021年國家/地區發文量統計

國家/地區 數量
CHINA MAINLAND 741
USA 455
India 399
Taiwan 232
South Korea 181
GERMANY (FED REP GER) 149
Japan 123
Italy 111
France 110
England 100

2019-2021年機構發文量統計

機構 數量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 239
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN... 123
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 92
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 81
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 76
IMEC 74
PEKING UNIVERSITY 66
XIDIAN UNIVERSITY 58
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... 57
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 50

2019-2021年文章引用數據

文章引用名稱 引用次數
Fully Inkjet-Printed Photodetector Using... 42
Effects of Postannealing on the Characte... 37
Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.... 28
Demonstration of Constant 8 W/mm Power D... 27
Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO2... 22
2-D Layered Materials for Next-Generatio... 20
High Endurance Ferroelectric Hafnium Oxi... 20
BTI Analysis Tool-Modeling of NBTI DC, A... 20
Improved Switching Stability and the Eff... 18
Design and Investigation of Charge-Plasm... 17

2019-2021年文章被引用數據

被引用期刊名稱 數量
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 865
JPN J APPL PHYS 565
IEEE J ELECTRON DEVI 499
SOLID STATE ELECTRON 431
IEEE ACCESS 422
SEMICOND SCI TECH 412
J APPL PHYS 400
APPL PHYS LETT 388
J COMPUT ELECTRON 284

2019-2021年引用數據

引用期刊名稱 數量
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 1587
APPL PHYS LETT 1366
J APPL PHYS 866
SOLID STATE ELECTRON 384
PHYS REV B 305
ADV MATER 238
MICROELECTRON RELIAB 235
NANO LETT 209
ACS APPL MATER INTER 195

相關期刊

免責聲明

若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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