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半導體信息雜志

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總被引頻次:

半導體信息雜志 部級期刊

Semiconductor Information
期刊榮譽:

主要欄目:

企業指南國內外半導體技術與器件市場動態

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半導體信息雜志簡介預計審稿時間:1個月內

稿件需知:

a.關鍵詞:3-5個,以分號相隔。應盡量使用敘詞,無法用敘詞的則應根據文章內容合理提取反映主題的自由詞。

b.基金資助,在論文首頁下方,以腳注注明基金類別和項目編號。

c.文稿務求內容精煉,論點明確,論證嚴密,數據準確,文字簡練、規范,標點正確。

d.稿件首頁內容包括題名,每位作者的姓名、學歷、技術職稱及工作單位,負責與編輯部聯系的通訊作者的姓名及其詳細通訊地址、電話、傳真和Email,并標明正文字數、表數及圖數。

e.參考文獻應以作者親自閱讀的近5年內文獻為主,按引用的先后順序列出。

雜志簡介:

半導體信息雜志(雙月刊)知識豐富,內容廣泛,貼近大眾,自1990年創刊以來廣受好評,注重視角的宏觀性、全局性和指導性,在業界形成了一定影響和良好口碑。

統計數據

被引次數和發文量統計數據

雜志被引次數

雜志發文量

年度被引次數統計數據

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

本刊文章見刊的年份

2012 2011 2010 2009 2008

在2012年的被引次數

1 0 0 4 2

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0.1429 0.1429 0.1429 0.7143 1

本刊文章見刊的年份

2013 2012 2011 2010

在2013年的被引次數

1 1 2 1

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0.2 0.4 0.8 1

本刊文章見刊的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

在2014年的被引次數

0 3 1 2 0 1 1 0 0 1

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0 0.3 0.4 0.6 0.6 0.7 0.8 0.8 0.8 0.9

本刊文章見刊的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2015年的被引次數

1 2 1 0 1 1 1 1

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0.125 0.375 0.5 0.5 0.625 0.75 0.875 1

本刊文章見刊的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2016年的被引次數

0 2 3 1 2 0 2 1 0 1

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0 0.1538 0.3846 0.4615 0.6154 0.6154 0.7692 0.8462 0.8462 0.9231

本刊文章見刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2017年的被引次數

1 4 3 8 2 1 2 1 0 3

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0.04 0.2 0.32 0.64 0.72 0.76 0.84 0.88 0.88 1

本刊文章見刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2018年的被引次數

1 5 0 1 5 2 1 2 0 0

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0.0556 0.3333 0.3333 0.3889 0.6667 0.7778 0.8333 0.9444 0.9444 0.9444

本刊文章見刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2019年的被引次數

0 2 4 2 3 2 1 1 0 2

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0 0.1111 0.3333 0.4444 0.6111 0.7222 0.7778 0.8333 0.8333 0.9444

本刊文章見刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2020年的被引次數

0 1 0 4 1 4 1 0 1 2

被本刊自己引用的次數

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數的累積百分比

0 0.0667 0.0667 0.3333 0.4 0.6667 0.7333 0.7333 0.8 0.9333

文章摘錄

安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統成本

Microchip推出碳化硅(SiC)產品助力打造可靠的高壓電子設備

意法半導體發起SiC攻勢挑戰英飛凌

UnitedSiC在650V產品系列中新增7個SiC FET

CISSOID展出新款高溫柵極驅動器、碳化硅器件及功率模塊

羅姆推出內置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC

英飛凌加速推出CoolSiCTM MOSFET 1200V單管新產品

英飛凌聯合Schweizer開發出面向輕度混合動力汽車的芯片嵌入式功率MOSFET

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