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半導(dǎo)體技術(shù)雜志

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半導(dǎo)體技術(shù)雜志 北大期刊統(tǒng)計(jì)源期刊

Semiconductor Technology
主要欄目:

趨勢(shì)與展望半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體制備技術(shù)先進(jìn)封裝技術(shù)

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半導(dǎo)體技術(shù)雜志簡(jiǎn)介預(yù)計(jì)審稿時(shí)間:1-3個(gè)月

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a.來稿只要觀點(diǎn)明確,言之有物,論證嚴(yán)密,說理透徹。

b.內(nèi)文中的文字論述清楚明了,要使用規(guī)范詞語。

c.第一作者簡(jiǎn)介:姓名(出生年-),性別(民族——漢族可省略),籍貫(具體到縣級(jí)),職稱職務(wù),學(xué)位,研究方向(此項(xiàng)可省略)。

d.論文須附中、英文摘要;中文摘要200—300字,英文摘要150—200詞。另請(qǐng)擇出能反映全文主要內(nèi)容的關(guān)鍵詞2—4個(gè)。

e.參考文獻(xiàn)按出現(xiàn)的次序列在文末,并在文中對(duì)應(yīng)位置以右上角方括弧中的數(shù)字表示。詳細(xì)參考文獻(xiàn)格式,見往期雜志。

雜志簡(jiǎn)介:

半導(dǎo)體技術(shù)雜志月刊知識(shí)豐富,內(nèi)容廣泛,貼近大眾,自1976年創(chuàng)刊以來廣受好評(píng),注重視角的宏觀性、全局性和指導(dǎo)性,在業(yè)界形成了一定影響和良好口碑。

半導(dǎo)體技術(shù)雜志“向讀者提供更好資訊,為客戶開拓更大市場(chǎng)”,是《半導(dǎo)體技術(shù)》的追求,本刊一如既往地堅(jiān)持客戶至上,服務(wù)第一,竭誠向讀者提供多元化的信息。

半導(dǎo)體技術(shù)歷史收錄

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

被引次數(shù)和發(fā)文量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

雜志被引次數(shù)

雜志發(fā)文量

年度被引次數(shù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022

本刊文章見刊的年份

2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003

在2012年的被引次數(shù)

2 38 71 74 69 49 55 31 33 23

被本刊自己引用的次數(shù)

0 7 21 14 13 4 5 4 4 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.0038 0.0766 0.2126 0.3544 0.4866 0.5805 0.6858 0.7452 0.8084 0.8525

本刊文章見刊的年份

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004

在2013年的被引次數(shù)

7 43 37 71 64 68 46 44 24 25

被本刊自己引用的次數(shù)

4 10 11 7 7 4 3 1 0 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.0132 0.094 0.1635 0.297 0.4173 0.5451 0.6316 0.7143 0.7594 0.8064

本刊文章見刊的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

在2014年的被引次數(shù)

5 38 52 57 63 68 56 48 29 32

被本刊自己引用的次數(shù)

2 17 8 9 7 9 4 5 0 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0088 0.0753 0.1664 0.2662 0.3765 0.4956 0.5937 0.6778 0.7285 0.7846

本刊文章見刊的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006

在2015年的被引次數(shù)

13 31 51 54 57 59 66 65 46 26

被本刊自己引用的次數(shù)

4 7 17 6 6 5 7 9 1 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.0205 0.0695 0.1501 0.2354 0.3254 0.4186 0.5229 0.6256 0.6983 0.7393

本刊文章見刊的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2016年的被引次數(shù)

10 49 48 57 45 48 60 43 34 36

被本刊自己引用的次數(shù)

2 13 14 10 4 3 8 5 6 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0178 0.105 0.1904 0.2918 0.3719 0.4573 0.5641 0.6406 0.7011 0.7651

本刊文章見刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2017年的被引次數(shù)

17 45 52 45 47 51 45 47 38 49

被本刊自己引用的次數(shù)

6 10 8 12 15 3 5 1 3 5

被引次數(shù)的累積百分比

0.028 0.102 0.1875 0.2615 0.3388 0.4227 0.4967 0.574 0.6365 0.7171

本刊文章見刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2018年的被引次數(shù)

16 52 54 36 39 33 46 41 48 35

被本刊自己引用的次數(shù)

5 15 8 10 3 0 6 3 2 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0277 0.1176 0.2111 0.2734 0.3408 0.3979 0.4775 0.5484 0.6315 0.692

本刊文章見刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2019年的被引次數(shù)

16 59 67 49 47 40 32 41 31 42

被本刊自己引用的次數(shù)

6 16 19 10 6 7 4 5 3 8

被引次數(shù)的累積百分比

0.0258 0.1208 0.2287 0.3076 0.3833 0.4477 0.4992 0.5652 0.6151 0.6828

本刊文章見刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2020年的被引次數(shù)

13 78 69 72 39 48 32 26 33 30

被本刊自己引用的次數(shù)

8 21 19 13 18 7 10 7 4 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.0189 0.1323 0.2326 0.3372 0.3939 0.4637 0.5102 0.548 0.5959 0.6395

本刊文章見刊的年份

2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012

在2021年的被引次數(shù)

19 69 107 70 59 30 37 20 23 24

被本刊自己引用的次數(shù)

3 18 28 21 23 8 7 4 8 5

被引次數(shù)的累積百分比

0.0288 0.1335 0.2959 0.4021 0.4917 0.5372 0.5933 0.6237 0.6586 0.695

本刊文章見刊的年份

2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2022年的被引次數(shù)

9 79 68 71 51 48 37 20 22 22

被本刊自己引用的次數(shù)

1 18 9 6 5 8 3 1 3 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0137 0.1335 0.2367 0.3445 0.4219 0.4947 0.5508 0.5812 0.6146 0.648

文章摘錄

FinFET刻蝕中刻蝕選擇比及離子損傷的控制與優(yōu)化

藍(lán)光發(fā)射鈣鈦礦薄膜的制備與光學(xué)特性

退火溫度對(duì)TiO2/ZnO復(fù)合納米棒光學(xué)性能的影響

硫化氣壓對(duì)溶膠-凝膠法制備CuSbS2薄膜性能的影響

封裝工藝對(duì)SiC功率模塊熱電性能的影響

28nm工藝制程SRAM高低溫失效分析

2019年主要欄目設(shè)置

陶瓷封裝倒裝焊器件熱學(xué)環(huán)境可靠性評(píng)估

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